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NTMFS6H824NT1G
MOSFET de puissance, Canal N, 80 V, 103 A, 0.0037 ohm, ÁDFN, Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 1.200 |
| 10+ | CHF 0.895 |
| 100+ | CHF 0.671 |
| 500+ | CHF 0.616 |
| 1000+ | CHF 0.565 |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTMFS6H824NT1G
Code Commande3929795
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds80V
Courant de drain Id103A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0037ohm
Type de boîtier de transistorÁDFN
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance115W
Nbre de broches5Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
Qualification-
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
103A
Type de boîtier de transistor
ÁDFN
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
115W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
80V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0037ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nbre de broches
5Broche(s)
Gamme de produit
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0001
Traçabilité des produits