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NJW3281G
Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 250 V, 15 A, 200 W, TO-3P, Traversant
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
3’007 En Stock
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNJW3281G
Code Commande2533337
Fiche technique
Polarité transistorNPN
Tension Collecteur Emetteur Max250V
Courant Collecteur Continu15A
Dissipation de puissance200W
Type de boîtier de transistorTO-3P
Montage transistorTraversant
Nbre de broches3Broche(s)
Fréquence de transition30MHz
Gain de courant DC hFE Min.45hFE
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Le NJW3281G est un transistor bipolaire, en silicium, NPN complémentaire pour l'audio, haute puissance, les positionneurs de tête de disque et d'autres applications linéaires. Les applications incluent les amplificateurs domestiques, les récepteurs domestiques (produits audio grand public haut de gamme), les systèmes audio de théâtre et de stade, les systèmes de sonorisation (PA) (amplificateurs audio professionnels).
- Zone de fonctionnement sûre exceptionnelle, gain NPN correspondant à 10% de 50mA à 5A
- Excellente linéarité de gain, BVCEO élevé, haute fréquence, plus grande plage dynamique
- Performances fiables à des puissances plus élevées, reproduction précise du signal d'entrée, bande passante d'amplificateur élevée
- Caractéristiques symétriques dans des configurations complémentaires
- Gain de courant DC de 75 (IC = 100mAdc, VCE = 5Vdc)
- Tension de maintien Collecteur−Émetteur 250VDC min (TC = 25°C, IC = 100mAdc, IB = 0)
- Tension collecteur-émetteur de 250V DC (1,5V, TC = 25°C), tension collecteur-base de 250V DC (TC = 25°C)
- Courant de coupure du collecteur de 50µAdc à (VCB = 250 Vdc, IE = 0)
- Produit gain-bande passante de courant 30MHz typ. (IC = 1ADC, VCE = 5VDC, fTEST = 1MHz)
- Boîtier TO−3P, plage de température d'utilisation de -65 à +150°C
Spécifications techniques
Polarité transistor
NPN
Courant Collecteur Continu
15A
Type de boîtier de transistor
TO-3P
Nbre de broches
3Broche(s)
Gain de courant DC hFE Min.
45hFE
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Collecteur Emetteur Max
250V
Dissipation de puissance
200W
Montage transistor
Traversant
Fréquence de transition
30MHz
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :South Korea
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :South Korea
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0058
Traçabilité des produits