Imprimer la page
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
17’468 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison sous 1 à 2 jours ouvrables
Commandez avant 17h00 pour bénéficier de l’expédition standard
Quantité | Prix (hors TVA) |
---|---|
1+ | CHF 2.550 |
10+ | CHF 2.140 |
100+ | CHF 1.170 |
500+ | CHF 0.940 |
1000+ | CHF 0.810 |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
CHF 2.55 (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFQP27P06
Code Commande9846530
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Vds max..60V
Courant de drain Id27A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.07ohm
Type de boîtier de transistorTO-220
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance120W
Nombre de broches3Broche(s)
Température de fonctionnement max..175°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
The FQP27P06 is a through hole, -60V P channel QFET MOSFET in TO-220 package. This device feature planar stripe and DMOS technology which has been tailored to minimize the onstate resistance and provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supply, audio amplifier, DC motor control and variable switching power applications.
- Low reverse transfer capacitance of typically 120pF
- Low gate charge is typically 33nC
- Drain to source voltage (Vds) of -60V
- Gate to source voltage of ±25V
- Continuous drain current (Id) of -27A
- Power dissipation (Pd) of 120W
- Low on state resistance of 55mohm at Vgs -10V
- Operating temperature range -55°C to 175°C
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
27A
Type de boîtier de transistor
TO-220
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
120W
Température de fonctionnement max..
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tension Vds max..
60V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.07ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nombre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.032659
Traçabilité des produits