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FGHL50T65MQDT
IGBT, 80 A, 1.45 V, 268 W, 650 V, TO-247, 3 Broche(s)
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 5.260 |
| 10+ | CHF 5.190 |
| 100+ | CHF 3.000 |
| 500+ | CHF 2.140 |
| 1000+ | CHF 1.960 |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFGHL50T65MQDT
Code Commande3929765
Fiche technique
Courant Collecteur Continu80A
Tension de saturation Emetteur Collecteur1.45V
Dissipation de puissance268W
Tension Collecteur Emetteur Max650V
Type de boîtier de transistorTO-247
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Montage transistorTraversant
Gamme de produit-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Courant Collecteur Continu
80A
Dissipation de puissance
268W
Type de boîtier de transistor
TO-247
Température d'utilisation Max.
175°C
Gamme de produit
-
Tension de saturation Emetteur Collecteur
1.45V
Tension Collecteur Emetteur Max
650V
Nbre de broches
3Broche(s)
Montage transistor
Traversant
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :South Korea
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :South Korea
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00542
Traçabilité des produits