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Quantité | Prix (hors TVA) |
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3000+ | CHF 0.0398 |
9000+ | CHF 0.0329 |
Informations produit
Aperçu du produit
Le BSS138 est un transistor à effet de champ canal N, 50V, niveau logique, qui utilise la technologie de cellule haute densité DMOS. Ce composant est conçu pour minimiser la résistance à l'état passant tout en offrant des performances de commutation robustes, fiables et rapides. Il convient également pour les applications faible intensité et faible tension, comme les petites commandes de servomoteur, les pilotes de grille MOSFET de puissance et d'autres applications de commutation. Ce produit est recommandé pour un usage général et convient à de nombreuses applications différentes.
- Conception avec cellule haute densité pour un faible RDS (on)
- Robuste et fiable
- Tension Grille-Source (VGSS) ±20V
- Résistance thermique 350°C/W, jonction / air ambiant
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîne une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Canal N
220mA
SOT-23
10V
360mW
150°C
-
No SVHC (27-Jun-2024)
50V
3.5ohm
Montage en surface
1.3V
3Broche(s)
-
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour BSS138
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
RoHS
RoHS
Certificat de conformité du produit