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2SK4177-DL-1E
MOSFET de puissance, Canal N, 1.5 kV, 2 A, 10 ohm, TO-263 (D2PAK), Montage en surface
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. Fabricant2SK4177-DL-1E
Code Commande2533169
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds1.5kV
Courant de drain Id2A
Résistance Drain-Source à l'état-ON10ohm
Type de boîtier de transistorTO-263 (D2PAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max-
Dissipation de puissance80W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
2A
Type de boîtier de transistor
TO-263 (D2PAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
80W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
1.5kV
Résistance Drain-Source à l'état-ON
10ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
-
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :South Korea
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :South Korea
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.001
Traçabilité des produits