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SS8050CBU
Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 25 V, 1.5 A, 1 W, TO-226AA, Traversant
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 5+ | CHF 0.471 |
| 10+ | CHF 0.268 |
| 100+ | CHF 0.152 |
| 500+ | CHF 0.140 |
| 1000+ | CHF 0.137 |
| 5000+ | CHF 0.134 |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantSS8050CBU
Code Commande2454120
Fiche technique
Polarité transistorNPN
Tension Collecteur Emetteur Max25V
Courant Collecteur Continu1.5A
Dissipation de puissance1W
Type de boîtier de transistorTO-226AA
Montage transistorTraversant
Nombre de broches3Broche(s)
Fréquence de transition100MHz
Gain de courant DC hFE Min120hFE
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Le SS8050CBU est un transistor silicium épitaxial NPN conçu pour être utilisé dans un amplificateur de sortie 2W de radios portables en mode push-pull classe B.
- Complémentaire à SS8550
Spécifications techniques
Polarité transistor
NPN
Courant Collecteur Continu
1.5A
Type de boîtier de transistor
TO-226AA
Nombre de broches
3Broche(s)
Gain de courant DC hFE Min
120hFE
Gamme de produit
-
MSL
-
Tension Collecteur Emetteur Max
25V
Dissipation de puissance
1W
Montage transistor
Traversant
Fréquence de transition
100MHz
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000544
Traçabilité des produits