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Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
Modèle non fabriqué
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantSBE808-TL-W
Code Commande3606640
Fiche technique
Tension inverse crête répétitive15V
Courant direct moyen1A
Configuration diodeIsolée double
Type de boîtier de diodeSOT-353
Nbre de broches5Broche(s)
Tension directe max540mV
Courant de surtension vers l'avant10A
Température d'utilisation Max.150°C
Type de montage de diodeMontage en surface
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Spécifications techniques
Tension inverse crête répétitive
15V
Configuration diode
Isolée double
Nbre de broches
5Broche(s)
Courant de surtension vers l'avant
10A
Type de montage de diode
Montage en surface
Qualification
-
Courant direct moyen
1A
Type de boîtier de diode
SOT-353
Tension directe max
540mV
Température d'utilisation Max.
150°C
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jan-2018)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.1
Traçabilité des produits