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| Quantité | Prix (hors TVA) |
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| 10+ | CHF 0.134 |
| 100+ | CHF 0.108 |
| 500+ | CHF 0.0726 |
| 1000+ | CHF 0.0636 |
| 5000+ | CHF 0.0412 |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantSBAV99RWT1G
Code Commande2630266
Fiche technique
Configuration diodeSérie double
Tension inverse crête répétitive100V
Courant direct moyen715mA
Tension directe max1.25V
Temps de redressement en inverse6ns
Courant de surtension vers l'avant2A
Température d'utilisation Max.150°C
Type de boîtier de diodeSOT-323
Nbre de broches3Broche(s)
Type de montage de diodeMontage en surface
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Configuration diode
Série double
Courant direct moyen
715mA
Temps de redressement en inverse
6ns
Température d'utilisation Max.
150°C
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tension inverse crête répétitive
100V
Tension directe max
1.25V
Courant de surtension vers l'avant
2A
Type de boîtier de diode
SOT-323
Type de montage de diode
Montage en surface
Qualification
AEC-Q101
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00001
Traçabilité des produits