RFD14N05LSM
MOSFET de puissance, Canal N, 50 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 0.818 |
| 10+ | CHF 0.508 |
| 100+ | CHF 0.381 |
| 500+ | CHF 0.374 |
| 1000+ | CHF 0.366 |
| 5000+ | CHF 0.359 |
Informations produit
Aperçu du produit
Le RFD14N05LSM est un MOSFET de puissance en niveau logique, canal N, produit en utilisant le procédé MegaFET. Ce processus, qui utilise des tailles proches de celles des circuits intégrés LSI, permet une utilisation optimale du silicium, ce qui se traduit par des performances exceptionnelles. Ils ont été conçus pour être utilisés dans des applications telles que les régulateurs à découpage, les convertisseurs et les drivers de relais. Cette performance est réalisée grâce à une conception d'oxyde de grille spéciale qui fournit une conductance nominale totale pour la polarisation de la grille sur une plage de 3V à 5V, facilitant ainsi une véritable commande de puissance tout ou rien directement à partir de circuits intégrés en niveau logique.
- Modèle PSPICE® compensation en température
- Peut être piloté directement à partir de circuits CMOS, NMOS et TTL
- Courant crête vs courbe de largeur d'impulsion
- Courbe UIS
Spécifications techniques
Canal N
14A
TO-252 (DPAK)
5V
48W
175°C
-
Lead (27-Jun-2024)
50V
0.1ohm
Montage en surface
2V
3Broche(s)
-
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour RFD14N05LSM
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Législation et Questions environnementales
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
RoHS
RoHS
Certificat de conformité du produit