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NVMYS6D2N06CLTWG
MOSFET de puissance, Canal N, 60 V, 71 A, 0.0061 ohm, LFPAK, Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 1.240 |
| 10+ | CHF 0.862 |
| 100+ | CHF 0.804 |
| 500+ | CHF 0.746 |
| 1000+ | CHF 0.688 |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVMYS6D2N06CLTWG
Code Commande3588885
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds60V
Courant de drain Id71A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0061ohm
Type de boîtier de transistorLFPAK
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2V
Dissipation de puissance61W
Nbre de broches4Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
MSL-
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
71A
Type de boîtier de transistor
LFPAK
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
61W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tension Drain-Source Vds
60V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0061ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2V
Nbre de broches
4Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0006