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NVMYS5D3N04CTWG
MOSFET de puissance, Canal N, 40 V, 71 A, 0.0053 ohm, LFPAK, Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 0.823 |
| 10+ | CHF 0.658 |
| 100+ | CHF 0.459 |
| 500+ | CHF 0.386 |
| 1000+ | CHF 0.367 |
| 5000+ | CHF 0.320 |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVMYS5D3N04CTWG
Code Commande3236772
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds40V
Courant de drain Id71A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0053ohm
Type de boîtier de transistorLFPAK
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3.5V
Dissipation de puissance50W
Nbre de broches4Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
71A
Type de boîtier de transistor
LFPAK
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
50W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tension Drain-Source Vds
40V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0053ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3.5V
Nbre de broches
4Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0007
Traçabilité des produits