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NVMTS0D7N06CTXG
MOSFET de puissance, Canal N, 60 V, 464 A, 720 µohm, DFNW, Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 9.770 |
| 5+ | CHF 8.420 |
| 10+ | CHF 7.070 |
| 50+ | CHF 6.160 |
| 100+ | CHF 5.710 |
| 250+ | CHF 5.600 |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVMTS0D7N06CTXG
Code Commande3018997
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds60V
Courant de drain Id464A
Résistance Drain-Source à l'état-ON720µohm
Type de boîtier de transistorDFNW
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance294.6W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
464A
Type de boîtier de transistor
DFNW
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
294.6W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tension Drain-Source Vds
60V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
720µohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour NVMTS0D7N06CTXG
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85413000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0007
Traçabilité des produits