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NVMFS6H824NT1G
MOSFET de puissance, Canal N, 80 V, 103 A, 0.0037 ohm, ÁDFN, Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 1.640 |
| 10+ | CHF 1.180 |
| 100+ | CHF 0.931 |
| 500+ | CHF 0.715 |
| 1000+ | CHF 0.666 |
| 5000+ | CHF 0.585 |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVMFS6H824NT1G
Code Commande2981237
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds80V
Courant de drain Id103A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0037ohm
Type de boîtier de transistorÁDFN
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance115W
Nbre de broches5Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
103A
Type de boîtier de transistor
ÁDFN
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
115W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tension Drain-Source Vds
80V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0037ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nbre de broches
5Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000145
Traçabilité des produits