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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTR4170NT1G
Code Commande2533202RL
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds30V
Courant de drain Id2.4A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.055ohm
Type de boîtier de transistorSOT-23
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max1V
Dissipation de puissance480mW
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
Aperçu du produit
Le NTR4170NT1G est un MOSFET de puissance, canal N qui offre une tension Drain Source de 30V et un courant de décharge continu de 2,4A. Il convient aux convertisseurs de puissance pour portables, à la gestion de la batterie et aux applications de commutation de charge/alimentation
- Faible RDS On
- Faible charge de grille
- Seuil de tension bas
- Gamme de température de jonction de -55 à 150°C
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
2.4A
Type de boîtier de transistor
SOT-23
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
480mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tension Drain-Source Vds
30V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.055ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000002
Traçabilité des produits