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Quantité | Prix (hors TVA) |
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10+ | CHF 4.710 |
50+ | CHF 4.270 |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTMTS4D3N15MC
Code Commande3766218
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds150V
Courant de drain Id174A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0034ohm
Type de boîtier de transistorDFNW
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3.6V
Dissipation de puissance293W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
Qualification-
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
174A
Type de boîtier de transistor
DFNW
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
293W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tension Drain-Source Vds
150V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0034ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3.6V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0004
Traçabilité des produits