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NTMFS008N12MCT1G
MOSFET de puissance, Canal N, 120 V, 79 A, 0.0065 ohm, SOIC, Montage en surface
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTMFS008N12MCT1G
Code Commande3766209RL
Fiche technique
Type de canalCanal N
Polarité transistorCanal N
Tension Drain-Source Vds120V
Courant de drain Id79A
Résistance Rds(on)0.0065ohm
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0065ohm
Type de boîtier de transistorSOIC
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance102W
Dissipation de puissance Pd102W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
Normes Qualification Automobile-
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Tension Drain-Source Vds
120V
Résistance Rds(on)
0.0065ohm
Type de boîtier de transistor
SOIC
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
102W
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
-
Normes Qualification Automobile
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Polarité transistor
Canal N
Courant de drain Id
79A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0065ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
4V
Dissipation de puissance Pd
102W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0004
Traçabilité des produits