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NTDV20P06LT4G-VF01
MOSFET de puissance, Canal P, 60 V, 15.5 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Montage en surface
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
Modèle non fabriqué
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTDV20P06LT4G-VF01
Code Commande3616350
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds60V
Courant de drain Id15.5A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.13ohm
Type de boîtier de transistorTO-252 (DPAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)5V
Tension de seuil Vgs Max2V
Dissipation de puissance65W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
15.5A
Type de boîtier de transistor
TO-252 (DPAK)
Tension de test Rds(on)
5V
Dissipation de puissance
65W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Tension Drain-Source Vds
60V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.13ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Vietnam
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Vietnam
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jan-2018)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.1
Traçabilité des produits