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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTD25P03LT4G
Code Commande2101430
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds30V
Courant de drain Id25A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.08ohm
Type de boîtier de transistorTO-252 (DPAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)5V
Tension de seuil Vgs Max1.6V
Dissipation de puissance75W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Le NTD25P03LT4G est un MOSFET de puissance, canal P -30V conçu pour les applications de commutation basse tension et haute vitesse et pour résister à une énergie élevée dans les modes d'avalanche et de commutation. Le temps de récupération de la diode source-drain est comparable à celui d'une diode à récupération rapide discrète.
- Qualification AEC-Q101
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
25A
Type de boîtier de transistor
TO-252 (DPAK)
Tension de test Rds(on)
5V
Dissipation de puissance
75W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tension Drain-Source Vds
30V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.08ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1.6V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
-
Documents techniques (2)
Produits associés
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00046
Traçabilité des produits