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NTB004N10G
MOSFET de puissance, Canal N, 100 V, 201 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 6.430 |
| 5+ | CHF 5.530 |
| 10+ | CHF 4.630 |
| 50+ | CHF 4.090 |
| 100+ | CHF 3.460 |
| 250+ | CHF 3.290 |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTB004N10G
Code Commande3463998
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds100V
Courant de drain Id201A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0034ohm
Type de boîtier de transistorTO-263 (D2PAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.8V
Dissipation de puissance340W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
Qualification-
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
201A
Type de boîtier de transistor
TO-263 (D2PAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
340W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tension Drain-Source Vds
100V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0034ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2.8V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0034
Traçabilité des produits