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Quantité | Prix (hors TVA) |
---|---|
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10+ | CHF 0.102 |
100+ | CHF 0.0626 |
500+ | CHF 0.0576 |
1000+ | CHF 0.0428 |
5000+ | CHF 0.0214 |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNSVMMUN2212LT1G
Code Commande3368904
Fiche technique
Polarité transistorSimple NPN
Tension Collecteur Emetteur Max NPN50V
Tension Collecteur Emetteur Max PNP-
Courant Collecteur Continu100mA
Résistance base R122kohm
Résistance Base-Emetteur R222kohm
Type de boîtier de transistorSOT-23
Nbre de broches3 broches
Montage transistorMontage en surface
Dissipation de puissance400mW
Température de fonctionnement max..150°C
Gain de courant DC hFE Min60hFE
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Polarité transistor
Simple NPN
Tension Collecteur Emetteur Max PNP
-
Résistance base R1
22kohm
Type de boîtier de transistor
SOT-23
Montage transistor
Montage en surface
Température de fonctionnement max..
150°C
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Collecteur Emetteur Max NPN
50V
Courant Collecteur Continu
100mA
Résistance Base-Emetteur R2
22kohm
Nbre de broches
3 broches
Dissipation de puissance
400mW
Gain de courant DC hFE Min
60hFE
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0004
Traçabilité des produits