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Quantité | Prix (hors TVA) |
---|---|
2500+ | CHF 0.349 |
Prix pour :Pièce (fournie en bobine complète)
Minimum: 2500
Multiple: 2500
CHF 872.50 (sans TVA)
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNRVUD320VT4G
Code Commande3606174
Fiche technique
Tension inverse crête répétitive200V
Courant direct moyen3A
Configuration diodeAnode Simple Double
Tension directe max950mV
Temps de redressement en inverse35ns
Courant de surtension vers l'avant75A
Température d'utilisation Max.175°C
Type de boîtier de diodeTO-252 (DPAK)
Nbre de broches3 broches
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Tension inverse crête répétitive
200V
Configuration diode
Anode Simple Double
Temps de redressement en inverse
35ns
Température d'utilisation Max.
175°C
Nbre de broches
3 broches
Qualification
AEC-Q101
Courant direct moyen
3A
Tension directe max
950mV
Courant de surtension vers l'avant
75A
Type de boîtier de diode
TO-252 (DPAK)
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Vietnam
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Vietnam
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jan-2018)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.1
Traçabilité des produits