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NJVMJB41CT4G
Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 65 W, TO-263 (D2PAK), Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 1.710 |
| 10+ | CHF 1.090 |
| 50+ | CHF 0.911 |
| 100+ | CHF 0.732 |
| 250+ | CHF 0.717 |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNJVMJB41CT4G
Code Commande3368644
Polarité transistorNPN
Tension Collecteur Emetteur Max100V
Courant Collecteur Continu6A
Dissipation de puissance65W
Type de boîtier de transistorTO-263 (D2PAK)
Montage transistorMontage en surface
Nbre de broches3Broche(s)
Fréquence de transition3MHz
Gain de courant DC hFE Min.15hFE
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Polarité transistor
NPN
Courant Collecteur Continu
6A
Type de boîtier de transistor
TO-263 (D2PAK)
Nbre de broches
3Broche(s)
Gain de courant DC hFE Min.
15hFE
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Collecteur Emetteur Max
100V
Dissipation de puissance
65W
Montage transistor
Montage en surface
Fréquence de transition
3MHz
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0004
Traçabilité des produits