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NGTB50N60L2WG
IGBT, 600 V, 100 A, 175°C, 500 W, TO-247
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
Modèle non fabriqué
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNGTB50N60L2WG
Code Commande3615813
Fiche technique
Courant Collecteur Continu100A
Tension de saturation Emetteur Collecteur1.5V
Dissipation de puissance500W
Tension Collecteur Emetteur Max600V
Type de boîtier de transistorTO-247
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Montage transistorTraversant
Gamme de produit-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Aperçu du produit
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Courant Collecteur Continu
100A
Dissipation de puissance
500W
Type de boîtier de transistor
TO-247
Température d'utilisation Max.
175°C
Gamme de produit
-
Tension de saturation Emetteur Collecteur
1.5V
Tension Collecteur Emetteur Max
600V
Nbre de broches
3Broche(s)
Montage transistor
Traversant
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jan-2018)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.1
Traçabilité des produits