NDT014L
MOSFET de puissance, Canal N, 60 V, 2.8 A, 0.16 ohm, SOT-223, Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 5+ | CHF 1.140 |
| 50+ | CHF 0.757 |
| 250+ | CHF 0.574 |
| 1000+ | CHF 0.403 |
| 2000+ | CHF 0.394 |
Informations produit
Aperçu du produit
Le NDT014L est un FET de à mode d'amélioration de niveau logique, canal N, produit à l'aide de la technologie DMOS à haute densité de cellules. Ce processus très haute densité est spécialement adapté pour minimiser la résistance à l'état passant et fournir des performances de commutation supérieures pour résister à des impulsions de haute énergie en modes avalanche et commutation. Il est particulièrement adapté aux applications basse tension telles que la conversion DC-DC où une commutation rapide, une faible perte de puissance en ligne et une résistance aux transitoires sont nécessaires.
- Conception avec cellule haute densité pour un faible RDS (on)
- Haute puissance et capacité de transfert de courant dans un boîtier pour montage en surface
Spécifications techniques
Canal N
2.8A
SOT-223
10V
3W
150°C
-
Lead (27-Jun-2024)
60V
0.16ohm
Montage en surface
1.5V
4Broche(s)
-
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
RoHS
RoHS
Certificat de conformité du produit