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NDC7002N
MOSFET double, Canal N, 50 V, 510 mA, 2 ohm
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
71’569 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 5+ | CHF 0.471 |
| 10+ | CHF 0.318 |
| 100+ | CHF 0.237 |
| 500+ | CHF 0.169 |
| 1000+ | CHF 0.135 |
| 5000+ | CHF 0.121 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 5
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNDC7002N
Code Commande9844821
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain Source Vds, Canal N50V
Tension drain source Vds, Canal P-
Courant de drain continu Id, Canal N510mA
Courant de drain continu Id, Canal P-
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N2ohm
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P-
Type de boîtier de transistorSuperSOT
Nbre de broches6Broche(s)
Dissipation de puissance Canal P700mW
Dissipation de puissance, Canal P-
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Le NDC7002N est un transistor FET à double mode N, produit en utilisant une haute densité de cellules et la technologie DMOS. Ce processus très haute densité est conçu pour minimiser la résistance à l'état passant, fournir des performances robustes et fiables et une commutation rapide. Ce composant est particulièrement adapté aux applications basse tension nécessitant un interrupteur côté haut, courant faible.
- Fort Courant de saturation
- Conception avec cellule haute densité pour un faible RDS (ON)
- Conception utilisant un châssis en cuivre pour des capacités thermiques et électriques supérieures
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Tension drain source Vds, Canal P
-
Courant de drain continu Id, Canal P
-
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
-
Nbre de broches
6Broche(s)
Dissipation de puissance, Canal P
-
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Drain Source Vds, Canal N
50V
Courant de drain continu Id, Canal N
510mA
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
2ohm
Type de boîtier de transistor
SuperSOT
Dissipation de puissance Canal P
700mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000016
Traçabilité des produits