Imprimer la page
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 11 semaine(s)
Contactez-moi quand le produit sera à nouveau en stock
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 24000+ | CHF 0.019 |
| 72000+ | CHF 0.0186 |
Prix pour :Pièce (fournie en bobine complète)
Minimum: 24000
Multiple: 24000
CHF 456.00 (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBZ27VALT1G
Code Commande2441393
Gamme de produitMMBZ2
Fiche technique
Gamme de produitMMBZ2
Polarité TVSUnidirectionelle
Tension Standoff inverse22V
Tension de maintien Max40V
Type de boîtier de diodeSOT-23
Nbre de broches3Broche(s)
Tension de rupture, Min25.65V
Tension de rupture Max.28.35V
Dissipation de puissance crête (en impulsion)40W
Température d'utilisation Max.150°C
Type de montage de diodeMontage en surface
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
La diode Zener à suppresseur de tension transitoire à double anode commune de la série MMBZ est conçue pour les applications nécessitant une protection contre les surtensions transitoires. Il est conçu pour être utilisé dans des équipements sensibles à la tension et aux décharges électrostatiques, tels que les ordinateurs, les imprimantes, les machines de bureau, les systèmes de communication, les équipements médicaux et autres applications. Il est idéal pour les situations où l'espace sur la carte est limité.
- Plage de tension inverse 3 à 26V crête en fonctionnement
- Gamme de tension de claquage Zener standard 5.6 à 33V
- Puissance crête 24 ou 40W à 1 ms (unidirectionnel)
- ESD Classe 3B (<gt/>16kV) selon le modèle du corps humain
- ESD Classe C (<gt/>400V) selon le modèle machine
- Tension de maintien maximale au courant impulsionnel maximal
- Faible fuite <lt/>5μA
- Température d'utilisation -55 à 150°C
Spécifications techniques
Gamme de produit
MMBZ2
Tension Standoff inverse
22V
Type de boîtier de diode
SOT-23
Tension de rupture, Min
25.65V
Dissipation de puissance crête (en impulsion)
40W
Type de montage de diode
Montage en surface
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Polarité TVS
Unidirectionelle
Tension de maintien Max
40V
Nbre de broches
3Broche(s)
Tension de rupture Max.
28.35V
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
AEC-Q101
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85363010
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.001
Traçabilité des produits