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MMBTA64LT1G
Transistor Darlington, PNP, 30 V, 225 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Broche(s)
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9’330 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 500+ | CHF 0.0432 |
| 1500+ | CHF 0.0369 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 500
Multiple: 5
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBTA64LT1G
Code Commande2464053RL
Polarité transistorPNP
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo30V
Tension Collecteur Emetteur Max30V
Courant Collecteur Continu500mA
Dissipation de puissance Pd225mW
Dissipation de puissance225mW
Courant de collecteur DC500mA
Boîtier de transistor RFSOT-23
Nbre de broches3Broche(s)
Gain en courant DC hFE20000hFE
Montage transistorMontage en surface
Gain de courant DC hFE Min.10000hFE
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Polarité transistor
PNP
Tension Collecteur Emetteur Max
30V
Dissipation de puissance Pd
225mW
Courant de collecteur DC
500mA
Nbre de broches
3Broche(s)
Montage transistor
Montage en surface
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
AEC-Q101
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
30V
Courant Collecteur Continu
500mA
Dissipation de puissance
225mW
Boîtier de transistor RF
SOT-23
Gain en courant DC hFE
20000hFE
Gain de courant DC hFE Min.
10000hFE
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000033
Traçabilité des produits