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MMBT5551LT1G
Transistor simple bipolaire (BJT), À usage général, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23
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| 50+ | CHF 0.0889 |
| 100+ | CHF 0.0534 |
| 500+ | CHF 0.0393 |
| 1500+ | CHF 0.0327 |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBT5551LT1G
Code Commande1459109
Gamme de produitMMBTxxxx
Fiche technique
Polarité transistorNPN
Tension Collecteur Emetteur Max160V
Courant Collecteur Continu600mA
Dissipation de puissance225mW
Type de boîtier de transistorSOT-23
Montage transistorMontage en surface
Nbre de broches3Broche(s)
Fréquence de transition-
Gain de courant DC hFE Min.80hFE
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitMMBTxxxx
QualificationAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Le MMBT5551LT1G est un transistor NPN haute tension en silicium conçu pour des exigences de changement de site et de contrôle uniques. Ce transistor est compatible PPAP et qualifié AEC-Q101.
- Sans halogène
Spécifications techniques
Polarité transistor
NPN
Courant Collecteur Continu
600mA
Type de boîtier de transistor
SOT-23
Nbre de broches
3Broche(s)
Gain de courant DC hFE Min.
80hFE
Gamme de produit
MMBTxxxx
MSL
-
Tension Collecteur Emetteur Max
160V
Dissipation de puissance
225mW
Montage transistor
Montage en surface
Fréquence de transition
-
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.09