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MMBT5401LT3G
Transistor simple bipolaire (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Montage en surface
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| 50+ | CHF 0.0927 |
| 250+ | CHF 0.0578 |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBT5401LT3G
Code Commande2533333
Fiche technique
Polarité transistorPNP
Tension Collecteur Emetteur Max150V
Courant Collecteur Continu500mA
Dissipation de puissance300mW
Type de boîtier de transistorSOT-23
Montage transistorMontage en surface
Nbre de broches3Broche(s)
Fréquence de transition300MHz
Gain de courant DC hFE Min.50hFE
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Polarité transistor
PNP
Courant Collecteur Continu
500mA
Type de boîtier de transistor
SOT-23
Nbre de broches
3Broche(s)
Gain de courant DC hFE Min.
50hFE
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Collecteur Emetteur Max
150V
Dissipation de puissance
300mW
Montage transistor
Montage en surface
Fréquence de transition
300MHz
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000002
Traçabilité des produits