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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 100+ | CHF 0.437 |
| 500+ | CHF 0.334 |
| 1000+ | CHF 0.323 |
| 5000+ | CHF 0.313 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
Multiple: 5
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMJD6039T4G
Code Commande2774792RL
Fiche technique
Polarité transistorNPN
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo80V
Tension Collecteur Emetteur Max80V
Courant Collecteur Continu4A
Dissipation de puissance Pd20W
Courant de collecteur DC4A
Dissipation de puissance20W
Boîtier de transistor RFTO-252 (DPAK)
Nbre de broches3Broche(s)
Gain en courant DC hFE2500hFE
Montage transistorMontage en surface
Gain de courant DC hFE Min.1000hFE
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Polarité transistor
NPN
Tension Collecteur Emetteur Max
80V
Dissipation de puissance Pd
20W
Dissipation de puissance
20W
Nbre de broches
3Broche(s)
Montage transistor
Montage en surface
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
80V
Courant Collecteur Continu
4A
Courant de collecteur DC
4A
Boîtier de transistor RF
TO-252 (DPAK)
Gain en courant DC hFE
2500hFE
Gain de courant DC hFE Min.
1000hFE
Gamme de produit
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000426
Traçabilité des produits