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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMJ15022G
Code Commande9557784
Fiche technique
Polarité transistorNPN
Tension Collecteur Emetteur Max200V
Courant Collecteur Continu16A
Dissipation de puissance250W
Type de boîtier de transistorTO-3
Montage transistorTraversant
Nbre de broches2Broche(s)
Fréquence de transition4MHz
Gain de courant DC hFE Min.60hFE
Température d'utilisation Max.200°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Le MJ15022G est un transistor de puissance 200V Silicone NPN, conçu pour les haut-parleurs de puissance, les positionneurs de tête de disque et d'autres applications linéaires.
- Gain courant DC élevé
- Zone de fonctionnement sûre plus élevée
- Tension Collecteur-Base (Vcbo = 350V)
- Tension Émetteur-Base (Vebo = 5V)
Spécifications techniques
Polarité transistor
NPN
Courant Collecteur Continu
16A
Type de boîtier de transistor
TO-3
Nbre de broches
2Broche(s)
Gain de courant DC hFE Min.
60hFE
Gamme de produit
-
MSL
-
Tension Collecteur Emetteur Max
200V
Dissipation de puissance
250W
Montage transistor
Traversant
Fréquence de transition
4MHz
Température d'utilisation Max.
200°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Mexico
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Mexico
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.011793
Traçabilité des produits