MICROFJ-30020-TSV-TR1

Les capteurs de faible luminosité de la série J d'ON Semiconductor sont dotés d'un PDE élevé (efficacité de détection de photons) qui est obtenu à l'aide d'un processus de fonderie de silicium P-on-N à haut volume. Les capteurs de la série J intègrent des améliorations majeures dans la répartition du temps de transit, ce qui se traduit par une amélioration significative des performances de synchronisation du capteur. Les capteurs de la série J sont disponibles en différentes tailles (3mm, 4mm et 6mm) et utilisent un processus TSV (Through Silicon Via) pour créer un boîtier avec un espace mort minimal, compatible avec les processus de brasage par refusion sans plomb standard.

• Microcellules haute densité
• Les capteurs de la série J sont dotés d'une borne unique «sortie rapide» de ON Semiconductor
• Stabilité en température de 21,5 mV/°C
• Uniformité exceptionnelle de la tension de claquage de ±250mV
• Disponible dans un boîtier TSV compatible avec la soudure par refusion
• Taux de comptage dans l'obscurité ultra bas 50 kHz/mm2
• Optimisé pour les applications de chronométrage hautes performances, telles que ToF-PET
• Tension de polarisation inférieure à 30V
• Tailles de capteur de 3mm, 4mm et 6mm