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MBT3946DW1T1G
Réseau de transistors bipolaires, À usage général, NPN et PNP complémentaires, 40 V, 40 V, 200 mA
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMBT3946DW1T1G
Code Commande1459079
Gamme de produitMJxxxx Series
Fiche technique
22’976 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 5+ | CHF 0.176 |
| 50+ | CHF 0.105 |
| 100+ | CHF 0.0657 |
| 500+ | CHF 0.0481 |
| 1500+ | CHF 0.0371 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 5
Multiple: 5
CHF 0.88 (sans TVA)
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMBT3946DW1T1G
Code Commande1459079
Gamme de produitMJxxxx Series
Fiche technique
Polarité transistorNPN et PNP complémentaires
Tension Collecteur Emetteur Max NPN40V
Tension Collecteur Emetteur Max PNP40V
Courant de collecteur continu NPN200mA
Courant de collecteur continu PNP200mA
Dissipation de puissance NPN150mW
Dissipation de puissance PNP150mW
Gain de courant DC hFE Min NPN250hFE
Gain de courant DC hFE Min PNP250hFE
Type de boîtier de transistorSOT-363
Nombre de broches6Broche(s)
Montage transistorMontage en surface
Température de fonctionnement max..150°C
Fréquence de transition NPN300MHz
Fréquence de transition PNP250MHz
Gamme de produitMJxxxx Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
The MBT3946DW1T1G is a NPN-PNP complementary Bipolar Transistor Array housed in a surface-mount package designed for general purpose amplifier applications. By putting two discrete devices in one package, this device is ideal for low-power surface-mount applications where board space is at a premium.
- 100 to 300 hFE
- ≤0.4V Low VCE(sat)
- Simplifies circuit design
- Reduces board space
- Reduces component count
- Halogen-free
- -55 to 150°C Junction temperature range
Spécifications techniques
Polarité transistor
NPN et PNP complémentaires
Tension Collecteur Emetteur Max PNP
40V
Courant de collecteur continu PNP
200mA
Dissipation de puissance PNP
150mW
Gain de courant DC hFE Min PNP
250hFE
Nombre de broches
6Broche(s)
Température de fonctionnement max..
150°C
Fréquence de transition PNP
250MHz
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tension Collecteur Emetteur Max NPN
40V
Courant de collecteur continu NPN
200mA
Dissipation de puissance NPN
150mW
Gain de courant DC hFE Min NPN
250hFE
Type de boîtier de transistor
SOT-363
Montage transistor
Montage en surface
Fréquence de transition NPN
300MHz
Gamme de produit
MJxxxx Series
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.1
Traçabilité des produits