Imprimer la page
HUF75639G3
MOSFET de puissance, Canal N, 100 V, 56 A, 0.025 ohm, TO-247, Traversant
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
256 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison sous 1 à 2 jours ouvrables
Commandez avant 17h00 pour bénéficier de l’expédition standard
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 3.660 |
| 10+ | CHF 3.480 |
| 100+ | CHF 2.150 |
| 500+ | CHF 1.770 |
| 1000+ | CHF 1.760 |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
CHF 3.66 (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantHUF75639G3
Code Commande1700609
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds100V
Courant de drain Id56A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.025ohm
Type de boîtier de transistorTO-247
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance200W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
Aperçu du produit
The HUF75639G3 is a N-channel Power MOSFETs manufactured using the innovative UltraFET process. This advanced process technology achieves the lowest possible ON-resistance per silicon area, resulting in outstanding performance. This device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode and the diode exhibits very low reverse recovery time and stored charge. It was designed for use in applications where power efficiency is important, such as switching regulators, switching converters, relay drivers, low-voltage bus switches and power management in battery operated products.
- Peak current vs. pulse width curve
- UIS Rating curve
- Temperature compensated PSPICE®/SABER™ electrical, SPICE & SABER thermal impedance simulation models
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
56A
Type de boîtier de transistor
TO-247
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
200W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tension Drain-Source Vds
100V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.025ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.005
Traçabilité des produits