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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 3000+ | CHF 0.0499 |
| 9000+ | CHF 0.0491 |
Prix pour :Pièce (fournie en bobine complète)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantHN2D02FUTW1T1G
Code Commande2440864
Gamme de produitHN2D0
Fiche technique
Configuration diodeIsolée triple
Tension inverse crête répétitive85V
Courant direct moyen100mA
Tension directe max1.2V
Temps de redressement en inverse3ns
Courant de surtension vers l'avant1A
Température de fonctionnement max..150°C
Type de boîtier de diodeSC-88
Nombre de broches6Broche(s)
Type de montage de diodeMontage en surface
Gamme de produitHN2D0
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Configuration diode
Isolée triple
Courant direct moyen
100mA
Temps de redressement en inverse
3ns
Température de fonctionnement max..
150°C
Nombre de broches
6Broche(s)
Gamme de produit
HN2D0
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tension inverse crête répétitive
85V
Tension directe max
1.2V
Courant de surtension vers l'avant
1A
Type de boîtier de diode
SC-88
Type de montage de diode
Montage en surface
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.001
Traçabilité des produits