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Modèle non fabriqué
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantHGTP7N60A4
Code Commande1095121
Fiche technique
Courant Collecteur Continu34A
Tension de saturation Emetteur Collecteur2.7V
Dissipation de puissance125W
Tension Collecteur Emetteur Max600V
Type de boîtier de transistorTO-220AB
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Montage transistorTraversant
Gamme de produit-
Aperçu du produit
The HGTP7N60A4 is a SMPS IGBT combines the best features of high input impedance of a MOSFET and the low ON-state conduction loss of a bipolar transistor. It is ideal for many high voltage switching applications operating at high frequencies where low conduction losses are essential. This device has been optimized for fast switching applications, such as UPS and welder.
- 1.9V @ IC = 7A Low saturation voltage
- 75ns Fall time @ TJ = 125°C
- 125W Total power dissipation @ TC = 25°C
Spécifications techniques
Courant Collecteur Continu
34A
Dissipation de puissance
125W
Type de boîtier de transistor
TO-220AB
Température d'utilisation Max.
150°C
Gamme de produit
-
Tension de saturation Emetteur Collecteur
2.7V
Tension Collecteur Emetteur Max
600V
Nbre de broches
3Broche(s)
Montage transistor
Traversant
Documents techniques (3)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :South Korea
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :South Korea
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.002033
Traçabilité des produits