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FQU10N20CTU
MOSFET de puissance, Canal N, 200 V, 7.8 A, 0.36 ohm, TO-251 (IPAK), Traversant
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
Modèle non fabriqué
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFQU10N20CTU
Code Commande3616276
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds200V
Courant de drain Id7.8A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.36ohm
Type de boîtier de transistorTO-251 (IPAK)
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance50W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
7.8A
Type de boîtier de transistor
TO-251 (IPAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
50W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
200V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.36ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jan-2018)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.1
Traçabilité des produits