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FQD8P10TM-F085
MOSFET de puissance, Canal P, 100 V, 6.6 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 100+ | CHF 0.741 |
| 500+ | CHF 0.588 |
| 1000+ | CHF 0.542 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
Multiple: 1
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFQD8P10TM-F085
Code Commande3368810RL
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds100V
Courant de drain Id6.6A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.53ohm
Type de boîtier de transistorTO-252 (DPAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance44W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
6.6A
Type de boîtier de transistor
TO-252 (DPAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
44W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
AEC-Q101
Tension Drain-Source Vds
100V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.53ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0004
Traçabilité des produits