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FQB12P20TM
MOSFET de puissance, Canal P, 200 V, 11.5 A, 0.47 ohm, TO-263 (D2PAK), Montage en surface
327 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 100+ | CHF 1.110 |
| 500+ | CHF 0.861 |
| 1000+ | CHF 0.841 |
| 5000+ | CHF 0.824 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
Multiple: 1
CHF 116.00 (sans TVA)
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFQB12P20TM
Code Commande2575361RL
Gamme de produitFQB
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds200V
Courant de drain Id11.5A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.47ohm
Type de boîtier de transistorTO-263 (D2PAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max5V
Dissipation de puissance120W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitFQB
Qualification-
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
11.5A
Type de boîtier de transistor
TO-263 (D2PAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
120W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tension Drain-Source Vds
200V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.47ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
5V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
FQB
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.007811
Traçabilité des produits