Imprimer la page
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
108 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison EXPRESS en 1-2 jours ouvrés
Commandez avant 17h00
Livraison standard GRATUITE
pour les commandes de CHF 0.00 et plus
Les délais de livraison exacts seront calculés lors du paiement
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 100+ | CHF 0.586 |
| 250+ | CHF 0.574 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
Multiple: 5
CHF 63.60 (sans TVA)
Des frais de mise en bobine de CHF 5.00 seront appliqués pour ce produit
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFJB102TM
Code Commande2453344RL
Fiche technique
Polarité transistorNPN
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo100V
Tension Collecteur Emetteur Max100V
Courant Collecteur Continu8A
Dissipation de puissance Pd80W
Courant de collecteur DC8A
Dissipation de puissance80W
Boîtier de transistor RFTO-263AB
Nbre de broches3Broche(s)
Gain en courant DC hFE200hFE
Montage transistorMontage en surface
Température d'utilisation Max.150°C
Gain de courant DC hFE Min.200hFE
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Le FJB102TM est un transistor Darlington de puissance haute tension NPN qui offre une faible tension de saturation collecteur-émetteur.
- Gain de courant DC élevé (1000 hFE à 4V VCE, CI minimum 3A)
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Polarité transistor
NPN
Tension Collecteur Emetteur Max
100V
Dissipation de puissance Pd
80W
Dissipation de puissance
80W
Nbre de broches
3Broche(s)
Montage transistor
Montage en surface
Gain de courant DC hFE Min.
200hFE
Qualification
-
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
100V
Courant Collecteur Continu
8A
Courant de collecteur DC
8A
Boîtier de transistor RF
TO-263AB
Gain en courant DC hFE
200hFE
Température d'utilisation Max.
150°C
Gamme de produit
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.001312
Traçabilité des produits