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FGH75T65SQDTL4
IGBT, 150 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 4 Broche(s)
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
Modèle non fabriqué
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFGH75T65SQDTL4
Code Commande3615784
Fiche technique
Courant Collecteur Continu150A
Tension de saturation Emetteur Collecteur1.6V
Dissipation de puissance375W
Tension Collecteur Emetteur Max650V
Type de boîtier de transistorTO-247
Nbre de broches4Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Montage transistorTraversant
Gamme de produit-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Spécifications techniques
Courant Collecteur Continu
150A
Dissipation de puissance
375W
Type de boîtier de transistor
TO-247
Température d'utilisation Max.
175°C
Gamme de produit
-
Tension de saturation Emetteur Collecteur
1.6V
Tension Collecteur Emetteur Max
650V
Nbre de broches
4Broche(s)
Montage transistor
Traversant
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jan-2018)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.1