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FGH75T65SQDNL4
IGBT, 200 A, 1.43 V, 375 W, 650 V, TO-247, 4 Broche(s)
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| 5+ | CHF 6.550 |
| 10+ | CHF 5.360 |
| 50+ | CHF 4.920 |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFGH75T65SQDNL4
Code Commande2981092
Fiche technique
Courant Collecteur Continu200A
Tension de saturation Emetteur Collecteur1.43V
Dissipation de puissance375W
Tension Collecteur Emetteur Max650V
Type de boîtier de transistorTO-247
Nbre de broches4Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Montage transistorTraversant
Gamme de produit-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Courant Collecteur Continu
200A
Dissipation de puissance
375W
Type de boîtier de transistor
TO-247
Température d'utilisation Max.
175°C
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tension de saturation Emetteur Collecteur
1.43V
Tension Collecteur Emetteur Max
650V
Nbre de broches
4Broche(s)
Montage transistor
Traversant
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00542
Traçabilité des produits