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FGA50T65SHD
IGBT, 100 A, 1.6 V, 319 W, 650 V, TO-3PL, 3 Broche(s)
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
Modèle non fabriqué
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFGA50T65SHD
Code Commande3615736
Fiche technique
Courant Collecteur Continu100A
Tension de saturation Emetteur Collecteur1.6V
Dissipation de puissance319W
Tension Collecteur Emetteur Max650V
Type de boîtier de transistorTO-3PL
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Montage transistorTraversant
Gamme de produit-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Aperçu du produit
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Courant Collecteur Continu
100A
Dissipation de puissance
319W
Type de boîtier de transistor
TO-3PL
Température d'utilisation Max.
175°C
Gamme de produit
-
Tension de saturation Emetteur Collecteur
1.6V
Tension Collecteur Emetteur Max
650V
Nbre de broches
3Broche(s)
Montage transistor
Traversant
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jan-2018)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.1
Traçabilité des produits