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| 500+ | CHF 1.030 |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDS86141
Code Commande2083337
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds100V
Courant de drain Id7A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.019ohm
Type de boîtier de transistorSOIC
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3.1V
Dissipation de puissance5W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Le FDS86141 est un MOSFET, canal N produit à l'aide du processus PowerTrench® avancé. Il a été spécialement conçu pour minimiser la résistance à l'état ON, tout en maintenant des performances de commutation supérieures.
- Bas profil
- 100% testé par l'UIL
Avertissements
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Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
7A
Type de boîtier de transistor
SOIC
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
5W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tension Drain-Source Vds
100V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.019ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3.1V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0005
Traçabilité des produits