Imprimer la page
FDS8447
MOSFET de puissance, Canal N, 40 V, 12.8 A, 0.0105 ohm, SOIC, Montage en surface
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
29’301 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison EXPRESS en 1-2 jours ouvrés
Commandez avant 17h00
Livraison standard GRATUITE
pour les commandes de CHF 0.00 et plus
Les délais de livraison exacts seront calculés lors du paiement
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 0.895 |
| 10+ | CHF 0.549 |
| 100+ | CHF 0.507 |
| 500+ | CHF 0.482 |
| 1000+ | CHF 0.473 |
| 5000+ | CHF 0.462 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 1
Multiple: 1
CHF 0.90 (sans TVA)
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDS8447
Code Commande1495221
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds40V
Courant de drain Id12.8A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0105ohm
Type de boîtier de transistorSOIC
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max1.8V
Dissipation de puissance2.5mW
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Le FDS8447 est un MOSFET, canal N produit à l'aide du processus PowerTrench® avancé. Il a été spécialement conçu pour minimiser la résistance à l'état ON, tout en maintenant des performances de commutation supérieures.
- Faible charge de grille
- Technologie Trench haute performance pour un avoir un RDS(ON) extrêmement faible
- Haute puissance et forte capacité de traitement du courant
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
12.8A
Type de boîtier de transistor
SOIC
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
2.5mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tension Drain-Source Vds
40V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0105ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1.8V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
-
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000224