Imprimer la page
FDN352AP
MOSFET de puissance, Canal P, 30 V, 1.3 A, 0.18 ohm, SuperSOT, Montage en surface
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
88’155 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison sous 1 à 2 jours ouvrables
Commandez avant 17h00 pour bénéficier de l’expédition standard
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 5+ | CHF 0.506 |
| 10+ | CHF 0.352 |
| 100+ | CHF 0.250 |
| 500+ | CHF 0.182 |
| 1000+ | CHF 0.153 |
| 5000+ | CHF 0.109 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 5
Multiple: 5
CHF 2.53 (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDN352AP
Code Commande1467977
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Vds max..30V
Courant de drain Id1.3A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.18ohm
Type de boîtier de transistorSuperSOT
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2V
Dissipation de puissance500mW
Nombre de broches3Broche(s)
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Le FDN352AP est un MOSFET niveau logique, canal P produit avec le procédé avancé Power Trench® de. Il est spécialement conçu pour minimiser la résistance à l'état passant tout en maintenant une charge de grille faible pour des performances de commutation supérieures. Ce composant est bien adapté aux applications basse tension et alimentées par des batteries où une faible perte de puissance en ligne est nécessaire dans un très petit boîtier CMS
- Technologie Trench haute performance pour un avoir un RDS(on) extrêmement faible
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
1.3A
Type de boîtier de transistor
SuperSOT
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
500mW
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tension Vds max..
30V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.18ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2V
Nombre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
-
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour FDN352AP
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.003175
Traçabilité des produits