FDN337N

Le FDN337N est un transistor à effet de champ de puissance, mode d'amélioration, niveau logique, canal N, dans un boîtier superSOT-3. Ce transistor est réalisé avec la technologie exclusive haute densité cellulaire, la technologie DMOS, processus très haute densité est particulièrement adaptée pour minimiser la résistance à l'état ON, ainsi suite pour les applications à basse tension dans les ordinateurs portables, les téléphones portables, les cartes PCMCIA et d'autres circuits alimentés par batterie où rapide commutation et une faible perte de puissance en ligne sont nécessaires dans une surface très petite esquisse de boîtier de montage.

• Conception avec cellule haute densité pour un faible RDS (on)
• Capacités de Résistance On exceptionnelle et de courant DC maximale
• Tension Drain/Source (Vds) de 30V
• Tension Grille-Source de ±8V
• Faible résistance ON de 65 mohms à VGS 4.5V
• Courant Drain continu de 2,2A
• Dissipation de puissance maximale 500mW
• Plage de température d'utilisation de -55°C à 150°C