Imprimer la page
FDMS86255
MOSFET de puissance, Canal N, 150 V, 45 A, 0.0124 ohm, Power 56, Montage en surface
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDMS86255
Code Commande2825179
Gamme de produitPowerTrench
Fiche technique
15’785 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison sous 1 à 2 jours ouvrables
Commandez avant 17h00 pour bénéficier de l’expédition standard
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 3.190 |
| 10+ | CHF 2.510 |
| 100+ | CHF 2.110 |
| 500+ | CHF 1.990 |
| 1000+ | CHF 1.920 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 1
Multiple: 1
CHF 3.19 (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDMS86255
Code Commande2825179
Gamme de produitPowerTrench
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds150V
Courant de drain Id45A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0124ohm
Type de boîtier de transistorPower 56
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3V
Dissipation de puissance113W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitPowerTrench
Qualification-
Aperçu du produit
Le FDMS86255 est un MOSFET POWERTRENCH à grille blindée, canal N. Ce MOSFET, canal N est produit à l'aide du processus POWERTRENCH semi-avancé qui intègre la technologie de grille blindée. Ce processus a été optimisé pour une résistance à l'état On tout en maintenant des performances de commutation supérieures. Les applications typiques sont OringFET/commutation de charge, redressement synchrone, conversion DC-DC.
- Boîtier avancé et combinaison de silicium pour un faible RDS (On) et un rendement élevé
- Technologie de diode corporelle améliorée de nouvelle génération, conçue pour une récupération en douceur
- 100% testé UIL
- Tension Drain-Source de 150V à TA = 25°C
- Tension de Grille (si appliqué au circuit intégré logique)-Source ±20V à TA = 25°C
- Courant drain de 62A en continu, TC = 25°C
- L'énergie d'une avalanche à impulsion unique est de 541mJ à TA = 25°C
- Dissipation de puissance 113W à TC = 25°C
- Boîtier PQFN8
- Plage de jonction température de fonctionnement et de stockage de -55 à +150°C
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
45A
Type de boîtier de transistor
Power 56
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
113W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tension Drain-Source Vds
150V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0124ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
PowerTrench
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0004
Traçabilité des produits