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FDD6N50TM
MOSFET de puissance, Canal N, 500 V, 6 A, 0.76 ohm, TO-252 (DPAK), Montage en surface
Modèle non fabriqué
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDD6N50TM
Code Commande3616028
Gamme de produitUniFET
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds500V
Courant de drain Id6A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.76ohm
Type de boîtier de transistorTO-252 (DPAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max5V
Dissipation de puissance89W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitUniFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Produits de remplacement pour FDD6N50TM
1 produit trouvé
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
6A
Type de boîtier de transistor
TO-252 (DPAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
89W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Tension Drain-Source Vds
500V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.76ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
5V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
UniFET
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jan-2018)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.1
Traçabilité des produits